【48812】BeSTMOS 600V 650V 70TO-220F TO-24752 选型阐明

  高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，选用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号

  氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式对外发布第三代快速（G3

  碳化硅MOSFETs产品系列，为完成最快的开关速度、最高的功率和功率密度的增进进行优化，

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  40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》材料免费下载

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  近来，国内半导体功率器材领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度改写业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频使用而规划的50A

  封装IGBT单管 /

  -2封装，具有2个引脚，不只增加了安规间隔，提高了可靠性，并且适用于多种使用场景。

  三相MOSFET/IGBT驱动器 /

  支撑140亿参数AI模型，229TOPS！英特尔重磅发布第一代车载独立显卡

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  【龙芯2K0300蜂鸟板试用】2 体系编译（uboot/kernel/buildroot）和镜像替换

  STM32进行DMA数据转运，为什么只要A组最终一位数据被转运到B组去？